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CMOS
 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor
 es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes parásitas, colocado en la placa base.
APLICACIONES
Microcontroladores
Microprocesadores
Memorias


FAMILIAS
CD 4XXX: familia original
4XXXA: convencional
AXXXB: con buffer de salida
74CXXX: CMOS compatible funcionalmente
74HCXXX: CMOS de alta velocidad
74HCTXXX: CMOS de alta velocidad con entradas TTL
74ACXXX: CMOS avanzado
74ACTXXX: CMOS avanzado cZAADOon entradas TTL
BCT: BiCMOS
ABT: BiCMOS AVAN
HISTORIA
Pero no fue hasta los ochenta que la tecnología CMOS se desarrolla con la aparición de mejoras en las técnicas de litografía y fabricación permitiendo reducir el tamaño de los transistores.
En este momento empezó un eclosión de memorias CMOS, pasando de 256x4 bits de la 5101 a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como consumo reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS. También los microprocesadores, NMOS hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.).
FAMILIAS LOGICAS
RTL: Lógica resistor-transistor
DTL: Lógica diodo-transistor
TTL: Lógica transistor-transistor
ECL: Lógica acoplada por emisor
MOS: Metal-óxido-semiconductor
CMOS: Metal-óxido-semiconductor complementario
HISTORIA
La tecnología CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,1 de Fairchild Semiconductor, a principios de los años 1960. Sin embargo, su introducción comercial se debe a RCA, con su famosa familia lógica CD4000. Posteriormente, la introducción de un búfer y mejoras en el proceso de oxidación local condujeron a la introducción de la serie 4000B, de gran éxito debido a su bajo consumo (prácticamente cero, en condiciones estáticas) y gran margen de alimentación (de 3 a 18 V).
CARACTERISTICAS
Voltajes de alimentación comprendido entre 3 y 15 V.
Inmunidad al ruido.
Velocidad de conmutación 60ns a 3ns
Susceptibilidad a cargas estáticas.
Disipación de potencia típica: 2.5nW
Nivel lógico 0 comprendido entre 0.3V a 0V
Nivel lógico 1 comprendido entre 0.7V a VDD



ESTRUCTURA INTERNA
Compuerta NOT
ATRIBUTOS DE OPERACION
CIRCUITO DE PROTECCION
La compuerta aislada de los MOS constituye también un problema ya que las entradas pueden acumular cargas electrostáticas que pueden producir perforaciones en el aislante depositado en el canal.
FUNCIONAMIENTO
Entrada a nivel bajo, NMOS esta en corto,
PMOS esta en conducción, tención de salida esta en el nivel lógico alto.
VENTAJAS DE CMOS
Reducción de la potencia disipada.
La conmutación de flancos son mas empinados y simétricos.
Los niveles lógicos de salida 0 y 1 tienen tensión próximas a 0V y VDD.
Reducción a valores casi nulos de la corriente absorbida por las entradas en régimen estático.
Reducción de los vínculos de alimentación, siendo 3V