Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica

Quim. Nova, Vol. 33, No. 4, 834-840, 2010

Artigo

EFEITOS DA ADIÇÃO DE ÁTOMOS DE Mn NA REDE DO GaN VIA MÉTODOS DE ESTRUTURA ELETRÔNICA Melânia Cristina Mazini e Julio Ricardo Sambrano* Departamento de Matemática, Universidade Estadual Paulista, Av. Eng. Luiz E. C. Coube, s/n, 17033-360 Bauru – SP, Brasil Alberto Adriano Cavalheiro Universidade Estadual de Mato Grosso do Sul, 79950-000 Navirai – MS, Brasil Douglas Marcel Gonçalves Leite e José Humberto Dias da Silva Departamento de Física, Universidade Estadual Paulista, Av. Eng. Luiz E. C. Coube, s/n, 17033-360 Bauru – SP, Brasil Recebido em 6/5/09; aceito em 9/11/09; publicado na web em 10/3/10

INDIRECT EFFECTS OF THE Mn INCORPORATION ON THE ELECTRONIC STRUCTURE OF NANOCRYSTALLINE GaN. A computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMnxN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x